III族氮化物基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011005460.5

申请日：

2020-09-22

公开(公告)号：

CN112635543A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

森勇介吉村政志今西正幸北本启泷野淳一隅智亮冈山芳央

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张毅群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200922
2022-08-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:松下电器产业株式会社变更后:松下控股株式会社变更事项:地址变更前:日本大阪府变更后:日本大阪府
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12

[2]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

日本专利 :CN114901876B ,2024-08-27

[3]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[4]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[5]

III族氮化物单晶基板 [P].

福田真行 ;

永岛徹 .

中国专利 :CN111164242B ,2020-05-15

[6]

III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P].

冈山芳央 .

中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08

[7]

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21

[8]

III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

平岩惠 ;

野中健太朗 .

日本专利 :CN120712386A ,2025-09-26

[9]

III族氮化物半导体基板 [P].

后藤裕辉 ;

石原裕次郎 .

中国专利 :CN110431258A ,2019-11-08

[10]

III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板 [P].

松本光二 ;

小野敏昭 ;

天野浩 ;

本田善央 .

中国专利 :CN108352307B ,2018-07-31

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