绝缘体上硅上的第III族氮化物半导体结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280082217.4

申请日：

2022-11-16

公开(公告)号：

CN118679556A

公开(公告)日：

2024-09-20

发明(设计)人：

C·韦蒂祖 I·拉杜 J·德鲁茵 S·德格鲁特

申请人：

SOITEC公司 SOITEC比利时公司

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L21/322

IPC分类号：

H01L29/10 H01L21/762 H01L29/778 H01L21/28 H01L29/20 H01L29/51 H01L21/20

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;李兵霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/322申请日:20221116
2024-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

第III族氮化物单晶及其生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中畑成二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101466878A ,2009-06-24

[2]

制造第III族氮化物半导体的方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN104218131A ,2014-12-17

[3]

第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103367113A ,2013-10-23

[4]

第III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

曹明焕 ;

李锡雨 ;

张弼国 ;

梁会永 ;

金真熙 ;

卢虎均 ;

文细荣 ;

鸟羽隆一 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN104603960A ,2015-05-06

[5]

第III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

门胁嘉孝 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN104040736A ,2014-09-10

[6]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[8]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

水谷浩一 ;

稻泽良平 ;

池本由平 ;

多井中伴之 .

中国专利 :CN103165802B ,2013-06-19

[9]

绝缘体上硅半导体结构及其制造方法 [P].

张龙 ;

何乃龙 ;

李浩宇 ;

吴佳怡 ;

盘成务 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120882054A ,2025-10-31

[10]

第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN102326228A ,2012-01-18

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