用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610727174.7

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN106480492B

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

守山实希

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B912

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;苏虹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2020-02-14	授权	授权
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710759066 IPC(主分类):C30B 9/12 专利申请号:2016107271747 申请日:20160825

共 50 条

[1]

制造第III族氮化物半导体的方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN104218131A ,2014-12-17

[2]

第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103367113A ,2013-10-23

[3]

制造第III族氮化物半导体的方法 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103985792A ,2014-08-13

[4]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

[6]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[8]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[9]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

佐村洋平 .

中国专利 :CN104347769B ,2015-02-11

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