Ⅲ族氮化物单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780001063.7

申请日：

2007-03-22

公开(公告)号：

CN101351579B

公开(公告)日：

2009-01-21

发明(设计)人：

宫永伦正水原奈保藤原伸介中幡英章川濑智博

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

穆德骏;黄启行

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	授权	授权
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-21	公开	公开
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20070322 授权公告日:20111102 终止日期:20180322

共 50 条

[1]

第III族氮化物单晶及其生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中畑成二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101466878A ,2009-06-24

[2]

氮化物单晶生长方法及应用 [P].

金敏浩 ;

小池正好 ;

咸宪柱 .

中国专利 :CN100352002C ,2005-11-02

[3]

Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 [P].

孙苋 ;

刘文宝 ;

朱建军 ;

江德生 ;

王辉 ;

张书明 ;

刘宗顺 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101898751A ,2010-12-01

[4]

生长Ⅲ族氮化物晶体的方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101910477A ,2010-12-08

[5]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[6]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[7]

一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法 [P].

陈静 ;

王曦 ;

孙佳胤 ;

武爱民 .

中国专利 :CN101428752A ,2009-05-13

[8]

一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法 [P].

刘南柳 ;

陈蛟 ;

李顺峰 ;

汪青 ;

罗睿宏 ;

张国义 .

中国专利 :CN104862781A ,2015-08-26

[9]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[10]

III族氮化物单晶基板 [P].

福田真行 ;

永岛徹 .

中国专利 :CN111164242B ,2020-05-15

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