氮化物LED外延结构的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210075711.6

申请日：

2012-03-21

公开(公告)号：

CN102569567A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324736212 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012100757116 申请日:20120321
2012-07-11	公开	公开
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714134756 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012100757116 申请公布日:20120711

共 50 条

[1]

一种提高氮化物LED电流扩展能力的外延生长方法 [P].

梁萌 ;

刘志强 ;

伊晓燕 ;

苗振林 ;

周佐华 ;

季辉 ;

王良臣 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN111129240A ,2020-05-08

[2]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[3]

一种氮化物LED外延片及其生长方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102969416A ,2013-03-13

[4]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[5]

MOCVD生长氮化物外延层的方法 [P].

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

颜建锋 ;

周建华 ;

孙永健 ;

杨卫桥 ;

陈志忠 ;

张国义 .

中国专利 :CN101343733B ,2009-01-14

[6]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[7]

氮化物半导体外延层的生长方法 [P].

尹义埈 ;

罗炫石 .

中国专利 :CN100447948C ,2006-08-16

[8]

一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法 [P].

张小光 ;

张小亮 .

中国专利 :CN102610713A ,2012-07-25

[9]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[10]

氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法 [P].

张东国 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN107919392A ,2018-04-17

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