降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910019374.7

申请日：

2009-10-23

公开(公告)号：

CN101702418B

公开(公告)日：

2010-05-05

发明(设计)人：

朱学亮吴德华曲爽吴亭李树强徐现刚任忠祥

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3316 H01L3306

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	公开	公开
2011-02-16	授权	授权
2015-12-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101637679212 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2009100193747 申请日:20091023 授权公告日:20110216 终止日期:20141023
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003221582 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100193747 申请日:20091023

共 50 条

[1]

一种GaN基LED芯片的外延生长方法 [P].

黄德猛 .

中国专利 :CN108124496A ,2018-06-05

[2]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114695610A ,2022-07-01

[3]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552A ,2022-09-06

[4]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552B ,2025-11-11

[5]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

高虹 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114497306B ,2022-05-13

[6]

改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法 [P].

农明涛 ;

徐平 .

中国专利 :CN106409996A ,2017-02-15

[7]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652B ,2025-07-01

[8]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652A ,2025-05-06

[9]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[10]

一种降低LED芯片驱动电压的GaN基外延层生长方法 [P].

马野 ;

宋水燕 ;

陈灵燕 ;

魏守进 ;

宋振雄 ;

刘恒山 .

中国专利 :CN116387414B ,2025-12-05

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