一种降低LED芯片驱动电压的GaN基外延层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310248617.4

申请日：

2023-03-15

公开(公告)号：

CN116387414B

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

马野宋水燕陈灵燕魏守进宋振雄刘恒山

申请人：

福建兆元光电有限公司

申请人地址：

350000 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/816

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

谢子能

法律状态：

授权

国省代码：

福建省福州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种降低LED芯片的工作电压的GaN基外延层生长方法 [P].

邹声斌 ;

刘恒山 ;

马昆旺 .

中国专利 :CN115799407B ,2025-12-09

[2]

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 [P].

朱学亮 ;

吴德华 ;

曲爽 ;

吴亭 ;

李树强 ;

徐现刚 ;

任忠祥 .

中国专利 :CN101702418B ,2010-05-05

[3]

一种GaN基LED芯片的外延生长方法 [P].

黄德猛 .

中国专利 :CN108124496A ,2018-06-05

[4]

一种可降低电压的GaN基外延结构及其生长方法 [P].

曹志芳 ;

夏伟 ;

闫宝华 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105161591A ,2015-12-16

[5]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114695610A ,2022-07-01

[6]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552A ,2022-09-06

[7]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552B ,2025-11-11

[8]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

高虹 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114497306B ,2022-05-13

[9]

GaN层生长方法及所得LED外延层和LED芯片 [P].

封智强 .

中国专利 :CN105070652A ,2015-11-18

[10]

LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片 [P].

农明涛 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

徐平 .

中国专利 :CN105098005B ,2015-11-25

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