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低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411427924.X
申请日：
2024-10-14
公开(公告)号：
CN119446896A
公开(公告)日：
2025-02-14
发明(设计)人：
孙文红 李耀泽
申请人：
广西大学
申请人地址：
530004 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/205 C30B29/40 C30B25/18 C30B25/16 C30B29/68
代理机构：
南宁颂博远信知识产权代理事务所(普通合伙) 45141
代理人：
滕艺琼
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广西壮族自治区 南宁市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241014
2025-02-14 公开 公开
共 50 条
[1]
具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
陈景文 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN115312635B ,2025-07-18
[2]
具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
陈景文 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN115312635A ,2022-11-08
[3]
LED的ALN缓冲层及其外延生长方法 [P]. 
徐平 .
中国专利 :CN108878609A ,2018-11-23
[4]
一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
陈云 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN113897676A ,2022-01-07
[5]
一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112242460A ,2021-01-19
[6]
一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112242459B ,2021-01-19
[7]
一种LED外延片及其外延生长方法 [P]. 
吴雪花 ;
杨天鹏 ;
郭文平 ;
陈向东 ;
肖志国 .
中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04
[8]
适用于AlN衬底的LED外延生长方法 [P]. 
徐平 ;
吴奇峰 .
中国专利 :CN109300856A ,2019-02-01
[9]
无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片及其生长方法 [P]. 
孙文红 ;
李磊 .
中国专利 :CN118571922A ,2024-08-30
[10]
低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P]. 
王骁 ;
徐科 ;
张育民 .
中国专利 :CN119943652A ,2025-05-06
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