一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011052794.8

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112242459B

公开(公告)日：

2021-01-19

发明(设计)人：

张骏岳金顺梁仁瓅

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

易贤卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-19	公开	公开
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200929
2022-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

孙文红 ;

李耀泽 .

中国专利 :CN119446896A ,2025-02-14

[2]

一种LED外延片及其外延生长方法 [P].

吴雪花 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04

[3]

具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

陈景文 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115312635B ,2025-07-18

[4]

一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242460A ,2021-01-19

[5]

具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

陈景文 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115312635A ,2022-11-08

[6]

LED的ALN缓冲层及其外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN108878609A ,2018-11-23

[7]

一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜 [P].

许福军 ;

沈波 ;

张立胜 ;

王明星 ;

国唯唯 ;

解楠 ;

孙元浩 ;

秦志新 .

中国专利 :CN106350783A ,2017-01-25

[8]

一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法 [P].

马金榜 ;

张雅超 ;

李一帆 ;

姚一昕 ;

张进成 ;

马佩军 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113921376A ,2022-01-11

[9]

一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111223971A ,2020-06-02

[10]

一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN113818087A ,2021-12-21

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