具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210921870.7

申请日：

2022-08-02

公开(公告)号：

CN115312635B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

张骏张毅陈景文岳金顺

申请人：

武汉优炜芯科技有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路20号2#楼3层302-4号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H01L21/324 H01L21/02 H10H20/815

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

张杰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	授权	授权

共 50 条

[1]

具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

陈景文 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115312635A ,2022-11-08

[2]

低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

孙文红 ;

李耀泽 .

中国专利 :CN119446896A ,2025-02-14

[3]

一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242460A ,2021-01-19

[4]

LED的ALN缓冲层及其外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN108878609A ,2018-11-23

[5]

一种LED外延片及其外延生长方法 [P].

吴雪花 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04

[6]

适用于AlN衬底的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109300856A ,2019-02-01

[7]

AlN薄膜生长方法 [P].

练发东 ;

涂逵 .

中国专利 :CN109326506A ,2019-02-12

[8]

一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242459B ,2021-01-19

[9]

一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法 [P].

吴义针 ;

汪连山 ;

麻胜恒 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129272B ,2025-09-12

[10]

一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法 [P].

吴义针 ;

汪连山 ;

麻胜恒 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129272A ,2025-06-10

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