一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011052869.2

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112242460A

公开(公告)日：

2021-01-19

发明(设计)人：

张骏岳金顺梁仁瓅

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

易贤卫

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20210119
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200929
2021-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

陈景文 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115312635B ,2025-07-18

[2]

具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

陈景文 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115312635A ,2022-11-08

[3]

LED的ALN缓冲层及其外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN108878609A ,2018-11-23

[4]

低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

孙文红 ;

李耀泽 .

中国专利 :CN119446896A ,2025-02-14

[5]

一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112242459B ,2021-01-19

[6]

一种LED外延片及其外延生长方法 [P].

吴雪花 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04

[7]

一种具有渐变插入层的AlN薄膜及其制备方法 [P].

岳金顺 ;

张骏 ;

陈长清 .

中国专利 :CN111509093A ,2020-08-07

[8]

一种AlN缓冲层的生长方法 [P].

桑立雯 ;

杨志坚 ;

秦志新 ;

方浩 ;

于彤军 ;

张国义 .

中国专利 :CN101580930A ,2009-11-18

[9]

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

秦志新 ;

王嘉铭 ;

张立胜 ;

何晨光 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN104319234A ,2015-01-28

[10]

一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法 [P].

陈鹏 ;

郭庄鹏 ;

谢自力 ;

陈敦军 ;

修向前 ;

刘斌 ;

赵红 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN118326332A ,2024-07-12

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