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具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法

被引：0
申请号：
CN202210921870.7
申请日：
2022-08-02
公开(公告)号：
CN115312635A
公开(公告)日：
2022-11-08
发明(设计)人：
张骏 张毅 陈景文 岳金顺
申请人：
申请人地址：
430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路20号2#楼3层302-4号
IPC主分类号：
H01L3300
IPC分类号：
H01L21324 H01L3312 H01L2102
代理机构：
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231
代理人：
张杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20220802
2022-11-08 公开 公开
共 50 条
[1]
具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
张毅 ;
陈景文 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN115312635B ,2025-07-18
[2]
低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
孙文红 ;
李耀泽 .
中国专利 :CN119446896A ,2025-02-14
[3]
一种具有Si掺杂插入层的AlN复合薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112242460A ,2021-01-19
[4]
LED的ALN缓冲层及其外延生长方法 [P]. 
徐平 .
中国专利 :CN108878609A ,2018-11-23
[5]
一种LED外延片及其外延生长方法 [P]. 
吴雪花 ;
杨天鹏 ;
郭文平 ;
陈向东 ;
肖志国 .
中国专利 :CN102044606A ,2011-05-04
[6]
适用于AlN衬底的LED外延生长方法 [P]. 
徐平 ;
吴奇峰 .
中国专利 :CN109300856A ,2019-02-01
[7]
AlN薄膜生长方法 [P]. 
练发东 ;
涂逵 .
中国专利 :CN109326506A ,2019-02-12
[8]
一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 [P]. 
张骏 ;
岳金顺 ;
梁仁瓅 .
中国专利 :CN112242459B ,2021-01-19
[9]
一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法 [P]. 
吴义针 ;
汪连山 ;
麻胜恒 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120129272B ,2025-09-12
[10]
一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法 [P]. 
吴义针 ;
汪连山 ;
麻胜恒 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120129272A ,2025-06-10
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