GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410748480.X

申请日：

2014-12-09

公开(公告)号：

CN104538508A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

宋玮贺贤汉金文明

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海顺华专利代理有限责任公司 31203

代理人：

沈履君

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司变更后:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:310000 浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18 变更后:310000 浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18
2018-11-23	授权	授权
2017-11-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20141209
2019-08-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20190717 变更事项:专利权人变更前权利人:上海申和热磁电子有限公司变更后权利人:杭州中芯晶圆半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号变更后权利人:310000 浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18
2015-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[2]

硅衬底GaN半导体器件外延材料结构 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN108615763B ,2018-10-02

[3]

GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P].

刘继全 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12

[4]

一种调节衬底翘曲度的外延生长方法 [P].

焦建军 ;

黄小辉 ;

周德保 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN104752167B ,2017-09-29

[5]

一种分子束外延用硅衬底的准备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119121415A ,2024-12-13

[6]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[7]

一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构 [P].

陈振 .

中国专利 :CN115663020A ,2023-01-31

[8]

一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构 [P].

陈振 .

中国专利 :CN115663020B ,2024-12-20

[9]

降低外延片翘曲度的方法及其外延片 [P].

黄敏 ;

杨军伟 ;

陈蛟 ;

宋华平 ;

简基康 ;

王文军 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN111725051A ,2020-09-29

[10]

GaN单晶衬底的HEMT外延结构和外延方法 [P].

王瑞 ;

敖辉 ;

王彦彬 ;

颜建锋 ;

庄文荣 .

中国专利 :CN118983336A ,2024-11-19

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