一种调节衬底翘曲度的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510163413.6

申请日：

2015-04-08

公开(公告)号：

CN104752167B

公开(公告)日：

2017-09-29

发明(设计)人：

焦建军黄小辉周德保康建梁旭东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618659410 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015101634136 申请日:20150408
2020-05-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20200426 变更事项:专利权人变更前权利人:圆融光电科技股份有限公司变更后权利人:江西圆融光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋变更后权利人:337000 江西省萍乡市安源工业园重庆中路1号

共 50 条

[1]

外延生长方法以及外延生长用衬底 [P].

中村正志 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN100401482C ,2005-12-14

[2]

一种减少翘曲的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109980055A ,2019-07-05

[3]

待外延生长的衬底处理方法、外延生长方法及外延结构 [P].

刘青 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119913612A ,2025-05-02

[4]

一种减少外延片翘曲的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN108847434A ,2018-11-20

[5]

GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法 [P].

宋玮 ;

贺贤汉 ;

金文明 .

中国专利 :CN104538508A ,2015-04-22

[6]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

[7]

一种LED外延生长方法和LED外延结构 [P].

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN102208500A ,2011-10-05

[8]

一种衬底、外延片及其生长方法 [P].

张志荣 ;

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

王波 ;

高楠 ;

房玉龙 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110791805A ,2020-02-14

[9]

一种LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111261755B ,2020-06-09

[10]

一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

张永 ;

卓祥景 ;

姜伟 ;

汪洋 ;

童吉楚 ;

方天足 .

中国专利 :CN105977352B ,2016-09-28

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