GaN外延或GaN衬底的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310167780.4

申请日：

2013-05-08

公开(公告)号：

CN104143497A

公开(公告)日：

2014-11-12

发明(设计)人：

刘继全彭仕敏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590947431 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013101677804 申请日:20130508
2018-03-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20141112
2014-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN外延或衬底的制作方法 [P].

刘继全 ;

季伟 ;

许升高 .

中国专利 :CN103682016A ,2014-03-26

[2]

GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN105742160A ,2016-07-06

[3]

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420753A ,2022-04-29

[4]

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420753B ,2025-09-02

[5]

GaN基外延结构及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

徐敏 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117364237A ,2024-01-09

[6]

一种GaN衬底的制作方法 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

马新刚 ;

潘艳萍 ;

陈善麟 ;

邬元杰 ;

赵进超 ;

王洋 .

中国专利 :CN105261679B ,2016-01-20

[7]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[8]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[9]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

[10]

硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P].

韩甲俊 ;

孙明 ;

庄文荣 ;

颜建锋 ;

敖辉 ;

陈兴虎 ;

严鹏 .

中国专利 :CN113594021A ,2021-11-02

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