GaN基外延结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311112477.4
申请日
2023-08-31
公开(公告)号
CN117364237A
公开(公告)日
2024-01-09
发明(设计)人
马欢 房玉川 徐敏 吴志浩
申请人
华灿光电(苏州)有限公司
申请人地址
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号
C30B25/18
IPC分类号
C30B29/40 C30B25/16 H01L21/02 H01L21/335 H01L33/00
代理机构
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
吕耀萍
法律状态
公开
国省代码
河北省 衡水市
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共 50 条
[1]
复合衬底及其制作方法、GaN基外延结构 [P]. 
徐敏 ;
马欢 ;
葛永晖 .
中国专利 :CN117364238A ,2024-01-09
[2]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021A ,2021-11-02
[3]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021B ,2024-08-16
[4]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730302A ,2025-03-28
[5]
GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P]. 
刘继全 ;
彭仕敏 .
中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12
[6]
硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 [P]. 
刘凯 ;
孙夕庆 .
中国专利 :CN102496665A ,2012-06-13
[7]
GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
付羿 ;
周名兵 .
中国专利 :CN112736128A ,2021-04-30
[8]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730300A ,2025-03-28
[9]
GaN基半导体器件及其制作方法 [P]. 
严威 ;
孙逸 ;
冯美鑫 ;
周宇 ;
孙钱 ;
杨辉 .
中国专利 :CN106684213A ,2017-05-17
[10]
一种硅基PHEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120129270A ,2025-06-10