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一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411839321.0
申请日：
2024-12-13
公开(公告)号：
CN119730300A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
黄兆斌 王鹏飞 叶佳灵
申请人：
江苏镓宏半导体有限公司
申请人地址：
221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区徐海路99号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01
代理机构：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353
代理人：
陈凯
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 徐州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241213
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021A ,2021-11-02
[2]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021B ,2024-08-16
[3]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730302A ,2025-03-28
[4]
一种GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730301A ,2025-03-28
[5]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835A ,2024-11-15
[6]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835B ,2025-03-18
[7]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P]. 
王明洋 ;
李国鹏 ;
王银海 ;
仇光寅 ;
马梦杰 .
中国专利 :CN119922941A ,2025-05-02
[8]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948391A ,2022-01-18
[9]
一种硅基GaN外延生长结构 [P]. 
罗锦贵 .
中国专利 :CN203367337U ,2013-12-25
[10]
硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P]. 
张勇 .
中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01
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