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一种GaN-HEMT外延结构及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411839668.5
申请日：
2024-12-13
公开(公告)号：
CN119730301A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
黄兆斌 王鹏飞 叶佳灵
申请人：
江苏镓宏半导体有限公司
申请人地址：
221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区徐海路99号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/85 H10D62/854
代理机构：
徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353
代理人：
李仁伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 徐州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241213
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730302A ,2025-03-28
[2]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021A ,2021-11-02
[3]
硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P]. 
韩甲俊 ;
孙明 ;
庄文荣 ;
颜建锋 ;
敖辉 ;
陈兴虎 ;
严鹏 .
中国专利 :CN113594021B ,2024-08-16
[4]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730300A ,2025-03-28
[5]
碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
王柏斌 ;
赵德刚 ;
梁锋 ;
杨静 ;
刘宗顺 ;
陈平 ;
朱建军 .
中国专利 :CN111952365A ,2020-11-17
[6]
GaN基LED外延结构及其制作方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
李起鸣 .
中国专利 :CN104638083A ,2015-05-20
[7]
一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
陈明 .
中国专利 :CN115632061B ,2025-08-19
[8]
一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
陈明 .
中国专利 :CN115632061A ,2023-01-20
[9]
基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P]. 
张宝顺 ;
孙世闯 ;
付凯 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张志利 ;
宋亮 .
中国专利 :CN104659089A ,2015-05-27
[10]
GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P]. 
刘继全 ;
彭仕敏 .
中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12
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