碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010822480.5

申请日：

2020-08-14

公开(公告)号：

CN111952365A

公开(公告)日：

2020-11-17

发明(设计)人：

王柏斌赵德刚梁锋杨静刘宗顺陈平朱建军

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L2920 H01L29207 H01L2936 H01L21335

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

刘歌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200814
2023-01-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20201117
2020-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P].

韩甲俊 ;

孙明 ;

庄文荣 ;

颜建锋 ;

敖辉 ;

陈兴虎 ;

严鹏 .

中国专利 :CN113594021A ,2021-11-02

[2]

硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P].

韩甲俊 ;

孙明 ;

庄文荣 ;

颜建锋 ;

敖辉 ;

陈兴虎 ;

严鹏 .

中国专利 :CN113594021B ,2024-08-16

[3]

一种硅基GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730302A ,2025-03-28

[4]

一种GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730301A ,2025-03-28

[5]

一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730300A ,2025-03-28

[6]

一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P].

陈明 .

中国专利 :CN115632061B ,2025-08-19

[7]

一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P].

陈明 .

中国专利 :CN115632061A ,2023-01-20

[8]

基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张宝顺 ;

孙世闯 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659089A ,2015-05-27

[9]

GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P].

刘继全 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12

[10]

GaN单晶衬底的HEMT外延结构和外延方法 [P].

王瑞 ;

敖辉 ;

王彦彬 ;

颜建锋 ;

庄文荣 .

中国专利 :CN118983336A ,2024-11-19

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