硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110825054.1

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113594021A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

韩甲俊孙明庄文荣颜建锋敖辉陈兴虎严鹏

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2516 C30B2518 C30B2940 H01L21335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210721
2021-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法 [P].

韩甲俊 ;

孙明 ;

庄文荣 ;

颜建锋 ;

敖辉 ;

陈兴虎 ;

严鹏 .

中国专利 :CN113594021B ,2024-08-16

[2]

一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730300A ,2025-03-28

[3]

一种硅基GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730302A ,2025-03-28

[4]

一种GaN-HEMT外延结构及其制作方法 [P].

黄兆斌 ;

王鹏飞 ;

叶佳灵 .

中国专利 :CN119730301A ,2025-03-28

[5]

碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法 [P].

王柏斌 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

杨静 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN111952365A ,2020-11-17

[6]

GaN基外延结构及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

徐敏 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117364237A ,2024-01-09

[7]

一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P].

王明洋 ;

宋占洋 ;

仇光寅 ;

刘勇 ;

邓雪华 ;

李国鹏 .

中国专利 :CN118969835A ,2024-11-15

[8]

一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P].

王明洋 ;

宋占洋 ;

仇光寅 ;

刘勇 ;

邓雪华 ;

李国鹏 .

中国专利 :CN118969835B ,2025-03-18

[9]

GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN112736128A ,2021-04-30

[10]

GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P].

刘继全 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12

← 1 2 3 4 5 →