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一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411426119.5
申请日：
2024-10-14
公开(公告)号：
CN118969835B
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
王明洋 宋占洋 仇光寅 刘勇 邓雪华 李国鹏
申请人：
南京国盛电子有限公司 南京盛鑫半导体材料有限公司
申请人地址：
211100 江苏省南京市江宁区正方中路166号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D62/85 H10D30/01
代理机构：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人：
吴多多
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-15 公开 公开
2024-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20241014
2025-03-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835A ,2024-11-15
[2]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P]. 
王明洋 ;
李国鹏 ;
王银海 ;
仇光寅 ;
马梦杰 .
中国专利 :CN119922941A ,2025-05-02
[3]
一种基于C阶梯掺杂的硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P]. 
王明洋 ;
邓雪华 ;
宋占洋 ;
刘勇 ;
仇光寅 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN121078751A ,2025-12-05
[4]
一种硅基GaN-HEMT外延结构及制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
王鹏飞 ;
叶佳灵 .
中国专利 :CN119730300A ,2025-03-28
[5]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948391A ,2022-01-18
[6]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390B ,2024-03-19
[7]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390A ,2022-01-18
[8]
一种新型AlGaN/GaN HEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
黄兆斌 .
中国专利 :CN120018546A ,2025-05-16
[9]
GaN基HEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
付羿 ;
周名兵 .
中国专利 :CN112736128A ,2021-04-30
[10]
一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964034B ,2024-03-19
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