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一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111006444.2
申请日：
2021-08-30
公开(公告)号：
CN113948391A
公开(公告)日：
2022-01-18
发明(设计)人：
张雅超 马金榜 李一帆 姚一昕 张进成 马佩军 马晓华 郝跃
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
H01L2102 H01L29778
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210830
2022-01-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390B ,2024-03-19
[2]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390A ,2022-01-18
[3]
一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964034B ,2024-03-19
[4]
一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948389A ,2022-01-18
[5]
一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964034A ,2022-01-21
[6]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835A ,2024-11-15
[7]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835B ,2025-03-18
[8]
一种高压AlGaN/GaN HEMT器件 [P]. 
王洪 ;
高升 ;
廖碧艳 ;
李先辉 .
中国专利 :CN212783460U ,2021-03-23
[9]
一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王洪 ;
高升 ;
廖碧艳 ;
李先辉 .
中国专利 :CN111403480A ,2020-07-10
[10]
GaN基HEMT器件的制备方法 [P]. 
欧欣 ;
石航宁 ;
游天桂 ;
伊艾伦 ;
徐文慧 .
中国专利 :CN112530803B ,2021-03-19
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