学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111004367.7
申请日：
2021-08-30
公开(公告)号：
CN113948389A
公开(公告)日：
2022-01-18
发明(设计)人：
张雅超 马金榜 李一帆 姚一昕 张进成 马佩军 马晓华 郝跃
申请人：
申请人地址：
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
H01L29778
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-01-18 公开 公开
2022-02-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210830
共 50 条
[1]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390B ,2024-03-19
[2]
一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
马金榜 ;
张雅超 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948390A ,2022-01-18
[3]
一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964034B ,2024-03-19
[4]
一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964034A ,2022-01-21
[5]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113948391A ,2022-01-18
[6]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835A ,2024-11-15
[7]
一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法 [P]. 
王明洋 ;
宋占洋 ;
仇光寅 ;
刘勇 ;
邓雪华 ;
李国鹏 .
中国专利 :CN118969835B ,2025-03-18
[8]
AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法 [P]. 
马晓华 ;
张新创 ;
马佩军 ;
朱青 .
中国专利 :CN109148368B ,2019-01-04
[9]
一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 [P]. 
张雅超 ;
马金榜 ;
李一帆 ;
姚一昕 ;
张进成 ;
马佩军 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113964179A ,2022-01-21
[10]
一种基于硅衬底的GaN HEMT外延结构 [P]. 
陈振 .
中国专利 :CN115663020A ,2023-01-31
12345