复合衬底及其制作方法、GaN基外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311112506.7

申请日：

2023-08-31

公开(公告)号：

CN117364238A

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

徐敏马欢葛永晖

申请人：

华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/40 C23C16/50 C23C16/455 C23C16/56 C23C16/40 C23C16/06 H01L21/02 H01L29/778 H01L21/335

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	公开	公开
2024-10-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C30B 25/18变更事项:申请人变更前:华灿光电（苏州）有限公司变更后:京东方华灿光电（苏州）有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更后:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20230831

共 50 条

[1]

GaN基外延结构及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

徐敏 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117364237A ,2024-01-09

[2]

复合衬底结构及其制作方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN102820393A ,2012-12-12

[3]

GaN基发光器件制作方法及其器件结构 [P].

罗毅 ;

韩彦军 .

中国专利 :CN100364123C ,2005-12-14

[4]

Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN103500777B ,2014-01-08

[5]

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 [P].

邓旭光 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

范亚明 ;

付凯 ;

于国浩 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106684139A ,2017-05-17

[6]

图形化衬底、外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN108550673A ,2018-09-18

[7]

一种硅基PHEMT外延结构及其制作方法 [P].

麻胜恒 ;

汪连山 ;

吴义针 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129270A ,2025-06-10

[8]

一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法 [P].

吴德华 ;

朱学亮 ;

杨鑫沼 ;

曲爽 ;

李树强 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN101908587B ,2010-12-08

[9]

GaN基发光二极管的外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

葛永晖 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN104022198A ,2014-09-03

[10]

柔性衬底及其制作方法、显示面板 [P].

李林霜 .

中国专利 :CN113354815A ,2021-09-07

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