GaN基发光二极管的外延片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410235690.9

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN104022198A

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

王群郭炳磊吕蒙普葛永晖胡加辉魏世祯

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	授权	授权
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587260858 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2014102356909 申请日:20140530
2014-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[2]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[3]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吕蒙普 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103943746B ,2014-07-23

[4]

GaN基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘浪 ;

陆香花 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110311022B ,2019-10-08

[5]

一种发光二极管的外延片及其制作方法 [P].

刘华容 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103681985A ,2014-03-26

[6]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[7]

Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN103500777B ,2014-01-08

[8]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[9]

一种发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

魏晓骏 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN107658374A ,2018-02-02

[10]

一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 [P].

乔楠 ;

李昱桦 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106057989B ,2016-10-26

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