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GaN基发光二极管外延片及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910471121.7
申请日
:
2019-05-31
公开(公告)号
:
CN110311022B
公开(公告)日
:
2019-10-08
发明(设计)人
:
刘浪
陆香花
周飚
胡加辉
申请人
:
申请人地址
:
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
:
H01L3314
IPC分类号
:
H01L3320
H01L3332
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
徐立
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-10-08
公开
公开
2020-12-01
授权
授权
2019-11-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20190531
共 50 条
[1]
GaN基发光二极管外延片
[P].
丁涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁涛
;
周飚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飚
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
李鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鹏
.
中国专利
:CN209561451U
,2019-10-29
[2]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张彩霞
;
印从飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
印从飞
;
程金连
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程金连
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
金从龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金从龙
.
中国专利
:CN114725257A
,2022-07-08
[3]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
张彩霞
;
印从飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
印从飞
;
程金连
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程金连
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN114725257B
,2025-04-18
[4]
GaN基发光二极管外延片及其制造方法
[P].
李红丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李红丽
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
.
中国专利
:CN106910801A
,2017-06-30
[5]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
丁涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁涛
;
周飚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飚
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
李鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鹏
.
中国专利
:CN110061112B
,2019-07-26
[6]
GAN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
杨云峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
杨云峰
;
朱帅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
朱帅
;
张波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
张波
.
中国专利
:CN119767893A
,2025-04-04
[7]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
丁涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁涛
;
周飚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飚
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
李鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鹏
.
中国专利
:CN110061103B
,2019-07-26
[8]
氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
[P].
丁杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁杰
;
秦双娇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
秦双娇
;
胡任浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡任浩
;
周飚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飚
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
.
中国专利
:CN109950368A
,2019-06-28
[9]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
陶章峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陶章峰
;
程金连
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程金连
;
张武斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张武斌
;
乔楠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乔楠
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
李鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鹏
.
中国专利
:CN109768127A
,2019-05-17
[10]
GaN基发光二极管外延片的制备方法
[P].
曹阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹阳
;
乔楠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乔楠
;
王群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王群
;
郭炳磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郭炳磊
;
吕蒙普
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕蒙普
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
;
李鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鹏
.
中国专利
:CN109904066B
,2019-06-18
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