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GaN基发光二极管外延片及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910150354.7
申请日
:
2019-02-28
公开(公告)号
:
CN110061103B
公开(公告)日
:
2019-07-26
发明(设计)人
:
丁涛
周飚
胡加辉
李鹏
申请人
:
申请人地址
:
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
IPC主分类号
:
H01L3300
IPC分类号
:
H01L3344
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
徐立
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-26
公开
公开
2019-08-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190228
2022-05-20
授权
授权
共 50 条
[1]
GaN基发光二极管外延片
[P].
丁涛
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丁涛
;
周飚
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周飚
;
胡加辉
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胡加辉
;
李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN209561451U
,2019-10-29
[2]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
丁涛
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丁涛
;
周飚
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周飚
;
胡加辉
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胡加辉
;
李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN110061112B
,2019-07-26
[3]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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张彩霞
;
印从飞
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印从飞
;
程金连
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程金连
;
胡加辉
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胡加辉
;
金从龙
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金从龙
.
中国专利
:CN114725257A
,2022-07-08
[4]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
张彩霞
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
张彩霞
;
印从飞
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
印从飞
;
程金连
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
程金连
;
胡加辉
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
胡加辉
;
金从龙
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机构:
江西兆驰半导体有限公司
江西兆驰半导体有限公司
金从龙
.
中国专利
:CN114725257B
,2025-04-18
[5]
GAN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
杨云峰
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湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
杨云峰
;
朱帅
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湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
朱帅
;
张波
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机构:
湖南蓝芯微电子科技有限公司
湖南蓝芯微电子科技有限公司
张波
.
中国专利
:CN119767893A
,2025-04-04
[6]
GaN基发光二极管外延片的制备方法
[P].
曹阳
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曹阳
;
乔楠
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乔楠
;
王群
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王群
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郭炳磊
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郭炳磊
;
吕蒙普
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吕蒙普
;
胡加辉
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胡加辉
;
李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109904066B
,2019-06-18
[7]
GaN基发光二极管外延片及其制造方法
[P].
刘浪
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刘浪
;
陆香花
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陆香花
;
周飚
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周飚
;
胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN110311022B
,2019-10-08
[8]
GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
[P].
陶章峰
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陶章峰
;
程金连
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程金连
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张武斌
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张武斌
;
乔楠
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乔楠
;
胡加辉
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胡加辉
;
李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN109768127A
,2019-05-17
[9]
GaN基发光二极管外延片及其制造方法
[P].
李红丽
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李红丽
;
胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN106910801A
,2017-06-30
[10]
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
[P].
陶章峰
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陶章峰
;
乔楠
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乔楠
;
张武斌
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张武斌
;
程金连
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程金连
;
李鹏
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李鹏
;
胡加辉
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胡加辉
.
中国专利
:CN109802020B
,2019-05-24
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