GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210366535.5

申请日：

2022-04-08

公开(公告)号：

CN114725257B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

张彩霞印从飞程金连胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/812

IPC分类号：

C30B25/16 C30B25/18 C30B29/40 H10H20/01 H10H20/816 H10H20/825

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

彭琰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117613167B ,2024-03-29

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117613167A ,2024-02-27

[4]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671A ,2024-01-12

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117855355A ,2024-04-09

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406A ,2024-01-16

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671B ,2024-03-08

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117423786A ,2024-01-19

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115295697B ,2022-12-30

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