GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910061717.X

申请日：

2019-01-23

公开(公告)号：

CN109768127A

公开(公告)日：

2019-05-17

发明(设计)人：

陶章峰程金连张武斌乔楠胡加辉李鹏

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20190517
2019-05-17	公开	公开
2019-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190123

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[2]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

曹阳 ;

乔楠 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920890B ,2019-06-21

[4]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920722A ,2019-06-21

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115458649A ,2022-12-09

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115458650A ,2022-12-09

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117832348A ,2024-04-05

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118117014A ,2024-05-31

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671A ,2024-01-12

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