发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

被引：0

申请号：

CN202211401899.9

申请日：

2022-11-10

公开(公告)号：

CN115458650A

公开(公告)日：

2022-12-09

发明(设计)人：

程龙郑文杰高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3312 H01L3332 H01L3300

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20221110
2022-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117954539A ,2024-04-30

[2]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117457826A ,2024-01-26

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115458649A ,2022-12-09

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117832348A ,2024-04-05

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118117014A ,2024-05-31

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117393671A ,2024-01-12

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115939270B ,2025-07-15

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810337A ,2024-04-02

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118099312A ,2024-05-28

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810328A ,2024-04-02

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