一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610454900.2

申请日：

2016-06-22

公开(公告)号：

CN106057989B

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

乔楠李昱桦周飚胡加辉

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332 H01L3306

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2018-10-09	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688769572 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016104549002 申请日:20160622

共 50 条

[1]

一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法 [P].

蒋媛媛 ;

李昱桦 ;

从颖 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106057990A ,2016-10-26

[2]

GaN基发光二极管的外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

葛永晖 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN104022198A ,2014-09-03

[3]

GaN基发光二极管的外延片的制备方法 [P].

武艳萍 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103904171A ,2014-07-02

[4]

一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法 [P].

李昱桦 ;

乔楠 ;

从颖 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106057988A ,2016-10-26

[5]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吉亚莉 ;

魏世祯 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103500779B ,2014-01-08

[6]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吕蒙普 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103943746B ,2014-07-23

[7]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN103489974B ,2014-01-01

[8]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN103441197B ,2013-12-11

[9]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[10]

Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN103500777B ,2014-01-08

← 1 2 3 4 5 →