一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610454898.9

申请日：

2016-06-22

公开(公告)号：

CN106057988A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

李昱桦乔楠从颖胡加辉

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L3306

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688765058 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016104548989 申请日:20160622
2018-10-30	授权	授权
2016-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[2]

GaN基发光二极管的外延片的制备方法 [P].

武艳萍 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103904171A ,2014-07-02

[3]

一种GaN基发光二极管外延片的制备方法 [P].

张武斌 ;

陶章峰 ;

刘旺平 ;

周盈盈 ;

王坤 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109830576B ,2019-05-31

[4]

一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106784216A ,2017-05-31

[5]

一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106653971B ,2017-05-10

[6]

一种GaN基发光二极管外延片的制备方法 [P].

李红丽 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106887492A ,2017-06-23

[7]

一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

韦春余 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108767078A ,2018-11-06

[8]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[9]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[10]

一种GaN基发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117936667A ,2024-04-26

← 1 2 3 4 5 →