一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611057880.1

申请日：

2016-11-26

公开(公告)号：

CN106653971B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

杨兰万林胡加辉

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村（浙江四达工具有限公司内）

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3302 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724562496 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2016110578801 申请日:20161126
2018-10-12	授权	授权
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106784216A ,2017-05-31

[2]

一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106848017A ,2017-06-13

[3]

一种发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

张华 .

中国专利 :CN106025032A ,2016-10-12

[4]

一种发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

张华 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106057996A ,2016-10-26

[5]

一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法 [P].

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

李鹏 .

中国专利 :CN107731974B ,2018-02-23

[6]

一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106711295A ,2017-05-24

[7]

一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 [P].

李红丽 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106711297A ,2017-05-24

[8]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[9]

一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法 [P].

李昱桦 ;

乔楠 ;

从颖 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106057988A ,2016-10-26

[10]

一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法 [P].

杨兰 ;

万林 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106711296A ,2017-05-24

← 1 2 3 4 5 →