一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410111404.8

申请日：

2014-03-24

公开(公告)号：

CN103943746B

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

吕蒙普魏世祯谢文明

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	授权	授权
2014-07-23	公开	公开
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584553923 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2014101114048 申请日:20140324

共 50 条

[1]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[2]

GAN基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

杨云峰 ;

朱帅 ;

张波 .

中国专利 :CN119767893A ,2025-04-04

[3]

GaN基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘浪 ;

陆香花 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110311022B ,2019-10-08

[4]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257A ,2022-07-08

[5]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114725257B ,2025-04-18

[6]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吉亚莉 ;

魏世祯 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103500779B ,2014-01-08

[7]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN103441197B ,2013-12-11

[8]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN103489974B ,2014-01-01

[9]

Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN103500777B ,2014-01-08

[10]

一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 [P].

李红丽 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106711297A ,2017-05-24

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