一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310386364.3

申请日：

2013-08-30

公开(公告)号：

CN103489974B

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

吴克敏魏世祯

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3332 B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	授权	授权
2016-08-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738107201 IPC(主分类):H01L 33/06 专利号:ZL2013103863643 登记生效日:20160808 变更事项:专利权人变更前权利人:华灿光电股份有限公司变更后权利人:华灿光电(浙江)有限公司变更事项:地址变更前权利人:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号变更后权利人:322000 浙江省义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内)
2014-01-01	公开	公开
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567145213 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013103863643 申请日:20130830

共 50 条

[1]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吕蒙普 ;

魏世祯 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103943746B ,2014-07-23

[2]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吉亚莉 ;

魏世祯 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

谢文明 .

中国专利 :CN103500779B ,2014-01-08

[3]

一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

吴克敏 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN103441197B ,2013-12-11

[4]

Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

孙玉芹 ;

王江波 ;

刘榕 .

中国专利 :CN103500777B ,2014-01-08

[5]

GaN基发光二极管外延片 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN209561451U ,2019-10-29

[6]

GaN基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘浪 ;

陆香花 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110311022B ,2019-10-08

[7]

发光二极管外延片及其制作方法 [P].

陶章峰 ;

胡烨伟 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110364598A ,2019-10-22

[8]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109768127A ,2019-05-17

[9]

GaN基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110061112B ,2019-07-26

[10]

GaN基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

李红丽 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106910801A ,2017-06-30

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