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一种硅基PHEMT外延结构及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510620611.4
申请日：
2025-05-14
公开(公告)号：
CN120129270A
公开(公告)日：
2025-06-10
发明(设计)人：
麻胜恒 汪连山 吴义针 孙文红 陈福鑫
申请人：
中科（深圳）无线半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D64/27 H10D30/01
代理机构：
北京国审领航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16157
代理人：
唐开强
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-10 公开 公开
2025-06-27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250514
共 50 条
[1]
一种PHEMT器件外延结构及其制备方法 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120152333B ,2025-09-12
[2]
一种PHEMT器件外延结构及其制备方法 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120152333A ,2025-06-13
[3]
一种PHEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
麻胜恒 ;
吴义针 ;
汪连山 .
中国专利 :CN120957454A ,2025-11-14
[4]
GaN基外延结构及其制作方法 [P]. 
马欢 ;
房玉川 ;
徐敏 ;
吴志浩 .
中国专利 :CN117364237A ,2024-01-09
[5]
InP PHEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
周书星 ;
王寅 ;
张欣 ;
类淑来 ;
胡青松 .
中国专利 :CN112736132A ,2021-04-30
[6]
复合衬底及其制作方法、GaN基外延结构 [P]. 
徐敏 ;
马欢 ;
葛永晖 .
中国专利 :CN117364238A ,2024-01-09
[7]
一种GaN基绿光LED外延结构及其制作方法 [P]. 
马欢 ;
田艳红 ;
牛凤娟 .
中国专利 :CN104409591A ,2015-03-11
[8]
LED器件外延结构及其制作方法 [P]. 
沈学如 .
中国专利 :CN108428773A ,2018-08-21
[9]
一种紫光LED外延结构及制作方法 [P]. 
解向荣 ;
吴永胜 .
中国专利 :CN112054097A ,2020-12-08
[10]
一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P]. 
葛永晖 ;
郭炳磊 ;
王群 ;
吕蒙普 ;
胡加辉 ;
李鹏 .
中国专利 :CN109473525B ,2019-03-15
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