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一种PHEMT器件外延结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510620688.1
申请日：
2025-05-14
公开(公告)号：
CN120152333B
公开(公告)日：
2025-09-12
发明(设计)人：
麻胜恒 汪连山 吴义针 孙文红 陈福鑫
申请人：
中科（深圳）无线半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/824
代理机构：
北京国审领航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16157
代理人：
唐开强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250514
2025-09-12 授权 授权
2025-06-13 公开 公开
共 50 条
[1]
一种PHEMT器件外延结构及其制备方法 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120152333A ,2025-06-13
[2]
一种PHEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
麻胜恒 ;
吴义针 ;
汪连山 .
中国专利 :CN120957454A ,2025-11-14
[3]
InP PHEMT外延结构及其制备方法 [P]. 
周书星 ;
王寅 ;
张欣 ;
类淑来 ;
胡青松 .
中国专利 :CN112736132A ,2021-04-30
[4]
一种硅基PHEMT外延结构及其制作方法 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120129270A ,2025-06-10
[5]
一种基于氮化镓高阻层的PHEMT器件的外延结构 [P]. 
麻胜恒 ;
汪连山 ;
吴义针 ;
孙文红 ;
陈福鑫 .
中国专利 :CN120129273A ,2025-06-10
[6]
外延结构及其制备方法和光电器件 [P]. 
高嘉咏 ;
代智文 ;
张小宾 ;
丁亮 ;
饶伟 .
中国专利 :CN120981029A ,2025-11-18
[7]
一种外延结构及其制备方法 [P]. 
曾为 ;
杜伟华 ;
李毕庆 ;
江协龙 ;
郑元宇 .
中国专利 :CN119446895A ,2025-02-14
[8]
紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P]. 
郭凯 ;
李开心 ;
徐广源 ;
俄文文 ;
李超 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN119208481B ,2025-09-30
[9]
GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法 [P]. 
潘鹏 ;
赵辉 ;
于根源 ;
房玉龙 ;
陈宏泰 ;
牛晨亮 .
中国专利 :CN115528107A ,2022-12-27
[10]
紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P]. 
郭凯 ;
李开心 ;
徐广源 ;
俄文文 ;
李超 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN119208481A ,2024-12-27
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