外延结构及其制备方法和光电器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510959948.8

申请日：

2025-07-11

公开(公告)号：

CN120981029A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

高嘉咏代智文张小宾丁亮饶伟

申请人：

中山德华芯片技术有限公司

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

IPC主分类号：

H10F77/14

IPC分类号：

H10F77/124 H10F30/21 H10F71/00

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

罗新

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 77/14申请日:20250711

共 50 条

[1]

一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件 [P].

王国斌 ;

闫其昂 .

中国专利 :CN114583020A ,2022-06-03

[2]

异质结构和光电器件及其制备方法 [P].

鄢江兵 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN115064642A ,2022-09-16

[3]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

魏铁石 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN114300556B ,2024-05-28

[4]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

魏铁石 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN114300556A ,2022-04-08

[5]

外延结构、外延生长方法及光电器件 [P].

李雪飞 ;

陆书龙 ;

吴渊渊 .

中国专利 :CN113284965A ,2021-08-20

[6]

外延生长方法、外延结构及光电器件 [P].

魏铁石 ;

李雪飞 ;

吴渊渊 ;

陆书龙 ;

杨文献 ;

张雪 .

中国专利 :CN113097057A ,2021-07-09

[7]

光电器件外延结构的制造方法 [P].

侯孟军 ;

刘宗民 .

中国专利 :CN109950201A ,2019-06-28

[8]

光电器件的制备方法、光电器件和显示装置 [P].

刘秋宇 ;

周礼宽 ;

候文军 .

中国专利 :CN119173109A ,2024-12-20

[9]

光电器件的制备方法、光电器件和显示装置 [P].

刘秋宇 ;

周礼宽 ;

候文军 .

中国专利 :CN119173108A ,2024-12-20

[10]

半导体外延结构及其制备方法、半导体光电器件 [P].

杨文献 ;

张雪 ;

陆书龙 ;

金山 ;

魏铁石 ;

邱海兵 ;

顾颖 ;

张鹏 .

中国专利 :CN114914332A ,2022-08-16

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