一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010206127.0

申请日：

2010-06-23

公开(公告)号：

CN101908587B

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

吴德华朱学亮杨鑫沼曲爽李树强王成新徐现刚

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20200928 变更事项:专利权人变更前权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更后权利人:航天智讯新能源（山东）有限公司变更事项:地址变更前权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号变更后权利人:277000 山东省枣庄高新区兴仁街道光明西路1699号
2010-12-08	公开	公开
2015-12-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724817113 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2010102061270 登记生效日:20151118 变更事项:专利权人变更前权利人:山东华光光电子有限公司变更后权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号变更后权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
2011-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101032288224 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010102061270 申请日:20100623
2011-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 [P].

吴德华 ;

朱学亮 ;

李树强 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN101794849A ,2010-08-04

[2]

GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法 [P].

刘晓燕 ;

沈燕 ;

徐化勇 ;

李树强 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN102468372A ,2012-05-23

[3]

一种SiC衬底GaN基LED的制备方法 [P].

路旺培 .

中国专利 :CN103606603A ,2014-02-26

[4]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[5]

SiC基GaN器件的衬底通孔制作方法 [P].

孔欣 ;

陈一峰 .

中国专利 :CN105428222A ,2016-03-23

[6]

AlGaN基SiC衬底的紫外LED制作方法 [P].

郝跃 ;

杨凌 ;

马晓华 ;

周小伟 ;

李培咸 .

中国专利 :CN101515617B ,2009-08-26

[7]

硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 [P].

刘凯 ;

孙夕庆 .

中国专利 :CN102496665A ,2012-06-13

[8]

一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法 [P].

张景文 ;

陈旭东 ;

翟文博 ;

王进军 ;

卜忍安 ;

王宏兴 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107326435A ,2017-11-07

[9]

一种SiC基GaN外延片的剥离方法 [P].

蔡仙清 ;

蔡文必 ;

刘胜厚 ;

邹鹏辉 ;

许若华 ;

卢益锋 ;

杨健 .

中国专利 :CN110079859A ,2019-08-02

[10]

GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法 [P].

吴飞翔 ;

李庆 ;

晏平 ;

陈立人 ;

蔡睿彦 .

中国专利 :CN104485401B ,2015-04-01

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