学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010111937.8
申请日：
2010-02-23
公开(公告)号：
CN101794849A
公开(公告)日：
2010-08-04
发明(设计)人：
吴德华 朱学亮 李树强 王成新 徐现刚
申请人：
申请人地址：
250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号
IPC主分类号：
H01L3300
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-13 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20201102 变更事项:专利权人 变更前权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司 变更后权利人:枣庄科顺数码有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 变更后权利人:277000 山东省枣庄高新区光明西路19号
2020-11-13 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人 变更前:山东浪潮华光光电子有限公司 变更后:山东浪潮华光光电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 变更后:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
2010-08-04 公开 公开
2012-01-18 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101270112499 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2010101119378 变更事项:专利权人 变更前权利人:山东华光光电子有限公司 变更后权利人:山东浪潮华光光电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号 变更后权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 登记生效日:20111212
2011-06-22 授权 授权
2010-09-22 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006074355 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010101119378 申请日:20100223
共 50 条
[1]
一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法 [P]. 
吴德华 ;
朱学亮 ;
杨鑫沼 ;
曲爽 ;
李树强 ;
王成新 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN101908587B ,2010-12-08
[2]
GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法 [P]. 
刘晓燕 ;
沈燕 ;
徐化勇 ;
李树强 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN102468372A ,2012-05-23
[3]
一种SiC衬底GaN基LED的制备方法 [P]. 
路旺培 .
中国专利 :CN103606603A ,2014-02-26
[4]
SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P]. 
蒋建华 ;
梁红伟 ;
夏晓川 ;
黄慧诗 ;
闫晓密 .
中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14
[5]
利用湿法腐蚀剥离衬底的方法 [P]. 
刘久澄 ;
龚政 ;
潘章旭 ;
陈志涛 ;
刘晓燕 ;
任远 ;
曾昭烩 ;
李叶林 ;
曾巧玉 ;
张康 ;
何晨光 ;
赵维 .
中国专利 :CN108470720B ,2018-08-31
[6]
一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法 [P]. 
张景文 ;
陈旭东 ;
翟文博 ;
王进军 ;
卜忍安 ;
王宏兴 ;
侯洵 .
中国专利 :CN107326435A ,2017-11-07
[7]
一种SiC基GaN外延片的剥离方法 [P]. 
蔡仙清 ;
蔡文必 ;
刘胜厚 ;
邹鹏辉 ;
许若华 ;
卢益锋 ;
杨健 .
中国专利 :CN110079859A ,2019-08-02
[8]
在SiC衬底上形成的GaN基LED [P]. 
D·T·埃默森 ;
A·C·阿贝尔 ;
M·J·伯格曼 .
中国专利 :CN1505843B ,2004-06-16
[9]
在SiC衬底上形成的GaN基LED [P]. 
D·T·埃默森 ;
A·C·阿贝尔 ;
M·J·伯格曼 .
中国专利 :CN101834245A ,2010-09-15
[10]
湿法剥离中防止氮化镓基垂直LED衬底被腐蚀的方法 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN105679889A ,2016-06-15
12345