一种GaN衬底的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510762542.7

申请日：

2015-11-10

公开(公告)号：

CN105261679B

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

李东昇丁海生马新刚潘艳萍陈善麟邬元杰赵进超王洋

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

余毅勤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	公开	公开
2018-01-23	授权	授权
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646916723 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015107625427 申请日:20151110

共 50 条

[1]

GaN外延或GaN衬底的制作方法 [P].

刘继全 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN104143497A ,2014-11-12

[2]

一种基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法 [P].

朱廷刚 .

中国专利 :CN103367117A ,2013-10-23

[3]

GaN衬底、半导体器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 ;

曹伯承 .

中国专利 :CN102637723A ,2012-08-15

[4]

一种硅衬底的GaN基LED芯片及其制作方法 [P].

曾国涛 .

中国专利 :CN107910409A ,2018-04-13

[5]

一种LED衬底及其制作方法 [P].

江忠永 ;

李东昇 ;

潘艳萍 ;

马新刚 ;

丁海生 ;

陈善麟 ;

赵进超 ;

王洋 ;

黄捷 .

中国专利 :CN105206730A ,2015-12-30

[6]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

[7]

可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法 [P].

徐琳 ;

苏克勇 ;

陈吉湖 ;

聂恒亮 .

中国专利 :CN113889528B ,2022-01-04

[8]

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420753A ,2022-04-29

[9]

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114420753B ,2025-09-02

[10]

一种提高GaN衬底使用效率的方法 [P].

陈立人 ;

陈伟 ;

刘慰华 .

中国专利 :CN102867893A ,2013-01-09

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