一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911365345.6

申请日：

2019-12-26

公开(公告)号：

CN111129114A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

陆俊王东吴勇陈兴汪琼葛林男严伟伟何滇曾文秀王俊杰操焰崔傲袁珂陈军飞张进成

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191226
2022-08-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:西安电子科技大学芜湖研究院变更后:西安电子科技大学芜湖研究院变更事项:地址变更前:241000 安徽省芜湖市弋江区文津西路8号变更后:241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼

共 50 条

[1]

一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法 [P].

陈兴 ;

陆俊 ;

黄永 ;

操焰 ;

汪玉清 .

中国专利 :CN117936671A ,2024-04-26

[2]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[3]

一种Si基GaN HEMT外延层及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117650174A ,2024-03-05

[4]

一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法 [P].

马金榜 ;

张雅超 ;

李一帆 ;

姚一昕 ;

张进成 ;

马佩军 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113921376A ,2022-01-11

[5]

一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法 [P].

钟蓉 ;

仇成功 ;

彭鹏 ;

甄龙云 ;

薛遥 ;

李冬冬 ;

周建华 .

中国专利 :CN110541157A ,2019-12-06

[6]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

[7]

一种使用缩颈外延获得低位错密度外延薄膜的方法 [P].

赵硕 ;

梁仁荣 ;

刘佳磊 ;

王敬 ;

徐洋 ;

刘志弘 ;

许军 .

中国专利 :CN100570823C ,2008-03-26

[8]

GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

刘波 ;

尹甲运 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN105428477A ,2016-03-23

[9]

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 [P].

朱学亮 ;

吴德华 ;

曲爽 ;

吴亭 ;

李树强 ;

徐现刚 ;

任忠祥 .

中国专利 :CN101702418B ,2010-05-05

[10]

硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法 [P].

吴春艳 ;

鲁德 ;

朱晨岳 ;

周昆楠 ;

戴一航 ;

罗林保 .

中国专利 :CN114613847B ,2022-06-10

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