一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410110765.4

申请日：

2024-01-26

公开(公告)号：

CN117936671A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

陈兴陆俊黄永操焰汪玉清

申请人：

西电芜湖研究院有限责任公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区中山南路717号科技产业园7号楼25层

IPC主分类号：

H01L33/12

IPC分类号：

H01L33/16 H01L33/00 C30B25/18 C30B29/40

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

房文亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省芜湖市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/12申请日:20240126
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法 [P].

陆俊 ;

王东 ;

吴勇 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111129114A ,2020-05-08

[2]

一种Si基GaN HEMT外延层及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117650174A ,2024-03-05

[3]

一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法 [P].

马金榜 ;

张雅超 ;

李一帆 ;

姚一昕 ;

张进成 ;

马佩军 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113921376A ,2022-01-11

[4]

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 [P].

朱学亮 ;

吴德华 ;

曲爽 ;

吴亭 ;

李树强 ;

徐现刚 ;

任忠祥 .

中国专利 :CN101702418B ,2010-05-05

[5]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[6]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385A ,2018-10-23

[7]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385B ,2024-04-05

[8]

一种Si基GaN-HEMT结构外延片及制备方法 [P].

王明洋 ;

杨帆 ;

王银海 ;

魏建宇 ;

马梦杰 .

中国专利 :CN117334735A ,2024-01-02

[9]

一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法 [P].

钟蓉 ;

仇成功 ;

彭鹏 ;

甄龙云 ;

薛遥 ;

李冬冬 ;

周建华 .

中国专利 :CN110541157A ,2019-12-06

[10]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

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