一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910849765.5

申请日：

2019-09-09

公开(公告)号：

CN110541157A

公开(公告)日：

2019-12-06

发明(设计)人：

钟蓉仇成功彭鹏甄龙云薛遥李冬冬周建华

申请人：

申请人地址：

325000 浙江省温州市瓯海区茶山高教园区

IPC主分类号：

C23C1620

IPC分类号：

C23C1634 C23C16455 C23C1652 H01L2102

代理机构：

杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213

代理人：

陈包杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	公开	公开
2019-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/20 申请日:20190909
2023-01-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20191206

共 50 条

[1]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

[2]

Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 [P].

刘波亭 ;

马平 ;

郭仕宽 ;

甄爱功 ;

张烁 ;

吴冬雪 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN105161578B ,2015-12-16

[3]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212085035U ,2020-12-04

[4]

Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

潘新花 .

中国专利 :CN101748480A ,2010-06-23

[5]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[6]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[7]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[8]

一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN105742424A ,2016-07-06

[9]

一种在Si(111)衬底上生长AlGaN外延薄膜的方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

杨学林 ;

秦志新 ;

康香宁 ;

张立胜 .

中国专利 :CN118471792A ,2024-08-09

[10]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037285B ,2014-09-10

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