一种生长在Si衬底上的GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021166620.X

申请日：

2020-06-22

公开(公告)号：

CN212085035U

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

高芳亮

申请人：

申请人地址：

214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区永安西路南侧

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3312 H01L310352 H01L31075 H01L31105 H01L3118 H01L3300

代理机构：

广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679

代理人：

曾嘉仪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[2]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[3]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599905A ,2020-08-28

[4]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[5]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[6]

生长在W衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067411U ,2014-12-31

[7]

一种生长在Si衬底上的LED外延片 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212848468U ,2021-03-30

[8]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[9]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

[10]

Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 [P].

刘波亭 ;

马平 ;

郭仕宽 ;

甄爱功 ;

张烁 ;

吴冬雪 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN105161578B ,2015-12-16

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