生长在W衬底上的GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420368656.4

申请日：

2014-07-03

公开(公告)号：

CN204067411U

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

李国强王文樑刘作莲杨为家林云昊周仕忠钱慧荣

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3312

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[2]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[3]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

[4]

生长在W衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157755A ,2014-11-19

[5]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212085035U ,2020-12-04

[6]

生长在W衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067412U ,2014-12-31

[7]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[8]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067413U ,2014-12-31

[9]

生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

朱运农 ;

杨为家 .

中国专利 :CN206225325U ,2017-06-06

[10]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN106601887A ,2017-04-26

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