Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510504913.1

申请日：

2015-08-17

公开(公告)号：

CN105161578B

公开(公告)日：

2015-12-16

发明(设计)人：

刘波亭马平郭仕宽甄爱功张烁吴冬雪王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642488493 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015105049131 申请日:20150817
2018-03-23	授权	授权
2015-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

Si衬底GaN基薄膜的生长方法 [P].

张佰君 ;

罗睿宏 ;

向鹏 ;

刘扬 .

中国专利 :CN102061519A ,2011-05-18

[2]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212085035U ,2020-12-04

[3]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[4]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[5]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[6]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[7]

一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法 [P].

钟蓉 ;

仇成功 ;

彭鹏 ;

甄龙云 ;

薛遥 ;

李冬冬 ;

周建华 .

中国专利 :CN110541157A ,2019-12-06

[8]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

[9]

生长在W衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067411U ,2014-12-31

[10]

一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 [P].

赵丹梅 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 .

中国专利 :CN104141171A ,2014-11-12

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