一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810784434.3

申请日：

2018-07-17

公开(公告)号：

CN108695385B

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

王洪周泉斌

申请人：

中山市华南理工大学现代产业技术研究院华南理工大学

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/335

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

向玉芳

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385A ,2018-10-23

[2]

基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN208368514U ,2019-01-11

[3]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750B ,2024-04-19

[4]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750A ,2017-08-18

[5]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206834183U ,2018-01-02

[6]

基于Si衬底的高耐压GaN基外延结构 [P].

王洪 ;

刘玉琪 ;

王楷 .

中国专利 :CN221379372U ,2024-07-19

[7]

基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法 [P].

邓旭光 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

范亚明 ;

付凯 ;

于国浩 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106684139A ,2017-05-17

[8]

一种低电流崩塌的硅基GaN射频外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

聂祚荣 ;

王楷 ;

马啸 .

中国专利 :CN117457715A ,2024-01-26

[9]

Si衬底AlN模板的制备方法及Si衬底GaN外延结构的制备方法 [P].

刘志宏 ;

刘俊伟 ;

张进成 ;

郝璐 ;

宋昆璐 ;

周弘 ;

赵胜雷 ;

张雅超 ;

张苇杭 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111640650A ,2020-09-08

[10]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN106711212B ,2017-05-24

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