一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611269244.5

申请日：

2016-12-31

公开(公告)号：

CN107068750A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

王洪周泉斌李祈昕

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市广州天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29205 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747182882 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2016112692445 申请日:20161231
2017-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750B ,2024-04-19

[2]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206834183U ,2018-01-02

[3]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385A ,2018-10-23

[4]

一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN108695385B ,2024-04-05

[5]

基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN208368514U ,2019-01-11

[6]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN106711212B ,2017-05-24

[7]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[8]

基于Si衬底的高耐压GaN基外延结构 [P].

王洪 ;

刘玉琪 ;

王楷 .

中国专利 :CN221379372U ,2024-07-19

[9]

基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN106981423A ,2017-07-25

[10]

蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

张晓庆 ;

武杰 ;

徐亮 .

中国专利 :CN117790308A ,2024-03-29

← 1 2 3 4 5 →