基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611269252.X

申请日：

2016-12-31

公开(公告)号：

CN106711212B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

王洪周泉斌李祈昕

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市广州天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2906

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	公开	公开
2018-12-11	授权	授权
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727789775 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:201611269252X 申请日:20161231

共 50 条

[1]

基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206697485U ,2017-12-01

[2]

背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法 [P].

何云龙 ;

马晓华 ;

杨凌 ;

王冲 ;

郑雪峰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112768508A ,2021-05-07

[3]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750B ,2024-04-19

[4]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN107068750A ,2017-08-18

[5]

基于增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904111A ,2014-07-02

[6]

基于Si衬底上外延AlGaN/GaN异质结器件及其制备方法 [P].

万坤 ;

赖鸿燕 ;

黄永 .

中国专利 :CN120224727A ,2025-06-27

[7]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件的制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104465403A ,2015-03-25

[8]

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 [P].

王冲 ;

郝跃 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

张进城 .

中国专利 :CN102938413A ,2013-02-20

[9]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[10]

一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构 [P].

王洪 ;

周泉斌 ;

李祈昕 .

中国专利 :CN206834183U ,2018-01-02

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